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多晶硅石墨底座处理
多晶硅石墨底座处理
一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统的制作方法 X技术网
2020年9月11日 — 发明人在对生产电子级多晶硅用石墨底座的研究中发现，目前的石墨底座 2019年9月29日 — 传统的多晶硅还原炉用石墨组件主要为两种方式: 一种方式为三件套式，包括石墨底座、石墨螺帽和石墨卡瓣三部分。 石墨底座上端有螺纹，可与石墨螺帽旋拧在一起，石墨螺帽中心为孔洞，用于石墨卡瓣 详解晶硅石墨卡瓣,用途超级广泛,还原炉用,纯度高超 2023年12月16日 — 本发明的石墨底座中在安装孔的内壁上设置镀层，避免了高温下石墨接 具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统CNA2020年6月3日 — 本实用新型公开了一体式石墨底座和一种电子级多晶硅生产系统。 其中， 一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统
一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统 龙图腾网
2020年6月3日 — 摘要： 本发明公开了一体式石墨底座和一种电子级多晶硅生产系统。 其 2021年2月23日 — 该一体式石墨底座中卡瓣与底座本体成型为一体，可以解决现用石墨底座 一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统的制作方法 X技术网2024年5月23日 — 本发明公开了多晶硅石墨底座自动切削系统，涉及材料切割技术领域，包 多晶硅石墨底座自动切削系统2024年8月22日 — 5、根据本实用新型实施例的具有镀层的石墨底座，在电子级多晶硅生产 具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统的制作方法
具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统 PatentGuru
一种用于电子级多晶硅还原炉的石墨组件 用于电子级多晶硅生产系统的在线监测痕量杂质 2024年4月18日 — 本发明公开了一种具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统，包括底 具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统【掌桥专利】2009年7月22日 — 本发明公开了多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理 水淬法，其特征在于：对石墨电极分别进行三次水淬，即先对石墨电极进行三次加热然后分别进行三次水浸冷却，水浸冷却时通过纯水进入被加热的石墨电极内部，石墨电极将纯水汽化为蒸汽，蒸汽 多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法 百度文库2023年7月12日 — 多晶硅废气主要为酸碱废气和有机废气两种，因其废气成分不同，它的处理工艺流程也有所不同，本文为您介绍的是3种多晶硅废气处理工艺流程。 多晶硅废气处理工艺流程一 多晶硅废气处理工艺流程一般包括以下步骤： 废气收集：将多晶硅生产过程中产生的 3种多晶硅废气处理工艺流程（附流程图）格林斯达环保
一种多晶硅生产用石墨金属电极的制作方法2 X技术网
2023年12月14日 — 技术特征： 1 一种多晶硅生产用石墨金属电极，其特征在于，包括: 电极底座、电极卡环、石墨电极座和石墨电极头；所述电极底座的内部具有冷却空间，用于对电极底座进行冷却；所述电极底座上具有容腔一，所述容腔一的开口向上；所述容腔一为台体形；所述容腔一的截面由下向上逐渐变大 买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！ 申请/专利权人：洛阳中硅高科技有限公司 摘要：本发明公开了一种具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统，包括底座和设置在底座上的石墨卡瓣，所述石墨卡瓣包括围绕石墨卡瓣中心分布的若干 具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统 龙图腾网2023年12月16日 — 本专利由洛阳中硅高科技有限公司申请，公开，本发明公开了一种具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统，包括底座和设置在底座上的石墨卡瓣，所述石墨卡瓣包括围绕石墨卡瓣中心分布的若干子卡瓣，相邻的两个所述子卡瓣之间留置有间隙，石专利查询、专利下载就上专利顾如具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统CNA2016年7月8日 — 本实用新型公开了一种用于多晶硅还原炉的卡瓣安装结构，卡瓣放置在与电极套连接的石墨底座中心位置，电极安装在还原炉的底盘上；硅芯穿过由卡瓣围成的空腔并通过石墨螺帽旋紧固定在石墨底座上；卡瓣为由碳化硅‑石墨复合材料制成的卡瓣；卡瓣由四瓣碳化硅子卡瓣构成。一种用于多晶硅还原炉的卡瓣安装结构 Google Patents
具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统 PatentGuru
一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统 用于生产电子级多晶硅的还原炉 用于生产电子级多晶硅的还原炉 电子级多晶硅清洗系统和方法 一种用于电子级多晶硅还原炉的石墨组件 用于电子级多晶硅生产系统的在线监测痕量杂质的方法 一种电子级多晶硅 2009年7月22日 — 本发明涉及多晶硅还原炉石墨电极的领域，特别是多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法。背景技术在多晶硅生产中，硅芯棒由石墨电极与还原炉铜电极相连在iioo'c沉积多晶硅。石墨电极材质的纯度将影响多晶硅的质量。为了减少石墨电极中的杂质对多晶硅质量的影响，一般采取高温(110(TC)煅烧抽 多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法的制作方法 X技术网2024年2月14日 — 多晶硅还原炉底座密封垫片及制作工艺pdf,本发明涉及一种多晶硅还原炉底座密封垫片及制作工艺。密封垫片包括中芯层以及表面垫层；中芯层为不锈钢材质制成；表面垫层原料如下，硅橡胶、丁腈橡胶、石墨粉末、硫化剂、抗老化剂、偶联剂、促进剂、氧化金属类助剂、二氧化硅、稳定剂。多晶硅还原炉底座密封垫片及制作工艺pdf原创力文档2019年9月29日 — 传统的多晶硅还原炉用石墨组件主要为两种方式: 一种方式为三件套式，包括石墨底座、石墨螺帽和石墨卡瓣三部分。石墨底座上端有螺纹，可与石墨螺帽旋拧在一起，石墨螺帽中心为孔洞，用于石墨卡瓣 详解晶硅石墨卡瓣,用途超级广泛,还原炉用,纯度高超
多晶硅 百度百科
2011年6月3日 — 多晶硅可作拉制 单晶硅 的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。 例如，在力学性质、光学性质和热学性质的 各向异性 方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的 导电性 也远 第一，在还原炉内硅沉积到硅芯上的同时也沉积到卡瓣组多晶硅部分上，镶嵌在硅棒中的多晶硅部分不需要处理 ；所述卡瓣组由石墨部分4和多晶硅部分5对接而成，石墨部分4构成卡瓣组的主体结构并置于石墨底座2上，多晶硅部分5构成卡瓣组的 一种可消除多晶硅碳头料的装置的制作方法2020年6月3日 — 本发明公开了一体式石墨底座和一种电子级多晶硅生产系统。其中，一体式石墨底座包括：本体、卡瓣结构、间隙和电极配置孔。卡瓣结构设在本体上部，与本体为一体式结构；卡瓣结构包括多个子卡瓣，多个子卡瓣之间形成有间隙；电极配置孔设在本体下部。卡瓣结构与石墨底座本体为一体式结构 一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统 龙图腾网摘要： 本实用新型公开了种多晶硅还原炉石墨卡瓣加工底座,包括基座,所述基座的内部预留有放置槽,且放置槽的内部设置有石墨本体,所述基座的边侧开设有滑槽,且滑槽的内部安装有铁丝网的底部,所述铁丝网的顶部安装有水管,且水管位于石墨本体的上方,所述铁丝网的内壁上安装有支撑杆,且铁丝网 一种多晶硅还原炉石墨卡瓣加工底座 百度学术
一种新型防止还原倒炉的石墨头的制作方法 X技术网
2023年10月11日 — 2、传统的多晶硅还原炉用石墨组件主要为两大类结构：一种结构为三件套式，包括石墨底座、固定环和石墨卡瓣三部分，如公开号为“cnu ”，名称为“一种菱形硅芯的卡件”的实用新型专利公开的结构；另一种结构为两件套式，包括石墨 多晶硅生产中改良西门子法是其中一项西门子工艺，在1100 ℃高纯硅芯中，使用高纯氢还原高纯三氯氢硅，硅芯上方完成多晶硅沉积在。这种改良西门子工艺，是以传统西门子工艺为前提进行创新，具备节能降耗、可回收利用的特征，多晶硅生产期间同时 多晶硅还原生产常见问题及控制对策分析 百度文库2024年5月23日 — 本发明公开了多晶硅石墨底座自动切削系统，涉及材料切割技术领域，包括控制中心，所述控制中心包括数据采集模块、数据处理模块、数据分析模块以及切削执行模块；通过对石墨底座表面的硅结晶情况进行识别，并获取石墨底座表面硅结晶的分布情况，对切削端的切削频率以及移动速度进行自动 多晶硅石墨底座自动切削系统 龙图腾网2012年3月27日 — 1多晶硅的生产工艺：从西门子法到改良西门子法 从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100℃左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅的生产工艺；1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用多晶硅研究系列1：三大生产工艺的比较 1多晶硅的生产工艺
一种多晶硅还原炉石墨件的制作方法 X技术网
一种多晶硅还原炉石墨件的制作方法 【技术领域】 [0001]本实用新型涉及多晶硅生产设备领域，特别是涉及一种多晶硅还原炉石墨件。【背景技术】 [0002]目前在多晶硅生产领域中，大多是采用改良西门子法生产多晶硅，在进行多晶硅还原反应之前，将娃芯插在石墨件上，石墨件套在铜电极上，娃芯 多晶硅石墨底座处理多晶硅石墨底座处理多晶硅石墨底座处理 多晶硅百度百科 多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以 包括石墨模具，在石墨模具内设有石英加料棒，石英加料棒与加料瓶相通，在石英加料棒的中。46 多晶硅石墨底座处理2016年3月9日 — 一种改良西门子法多晶硅还原炉用石墨夹头及其使用方法一种改良西门子法多晶硅还原炉用石墨 一、处理 硅芯 将硅芯下端加工成与倒圆台孔1相同锥度的倒圆台；所述的加工后的圆柱形硅芯的倒圆台的上底面直径大于倒圆台孔1的上底面直径 一种改良西门子法多晶硅还原炉用石墨夹头及其使用方法 多晶硅生产中的废气处理方法焚烧工艺优化,可以在保证满足环保性与安全性要求基础上,对废气、废液等进行有效治理。 处理流程为焚烧、余热回收、二氧化硅回收、急冷、盐酸回收、淋洗塔与排放。多晶硅生产废气经过缓冲后,进人到焚烧炉内进行高温 多晶硅生产中的废气处理方法百度文库
多晶硅石墨底座自动切削系统
2024年5月23日 — 本发明公开了多晶硅石墨底座自动切削系统，涉及材料切割技术领域，包括控制中心，所述控制中心包括数据采集模块、数据处理模块、数据分析模块以及切削执行模块；通过对石墨底座表面的硅结晶情况进行识别，并获取石墨底座表面硅结晶的分布情况，对切削端的切削频率以及移动速度进行自动 佛山市南海区钜盛石墨制品有限公司 Foshan Nanhai Jusheng Graphite Products Co, Ltd 佛山市南海区钜盛石墨制品有限公司，位于佛山市郊区广佛高速谢边出口 325 国道边曹边第三工业区，交通便利，占地面积 10500平方米，拥有先进的机械设备与优良的技术人员队伍，是佛山地区一家大型石墨加工企业，公司 公司简介佛山市南海区钜盛石墨制品有限公司2024年5月23日 — 本发明公开了多晶硅石墨底座自动切削系统，涉及材料切割技术领域，包括控制中心，所述控制中心包括数据采集模块、数据处理模块、数据分析模块以及切削执行模块；通过对石墨底座表面的硅结晶情况进行识别，并获取石墨底座表面硅结晶的分布情况，对切削端的切削频率以及移动速度进行自动 多晶硅石墨底座自动切削系统 龙图腾网2016年2月3日 — 多晶硅生产中废气的处理(2) 副产品SiO：。回收SiO：干粉约200 kg／h，可用作相关产业工业原料。(3)盐酸。采用盐酸吸收装置，烟气中HCl回收率可达到99％以上，可输出质量分数为 25％的盐酸量约1 800 kg,／h，经过提浓后可得到30％的浓盐酸加以利用 多晶硅生产中废气的处理百度文库
SiC涂层石墨基座简介 知乎
2022年12月6日 — SiC涂层石墨基座的难度 1基座制造技术难度高 SiC涂层石墨基座在制备过程中，每个炉次都需要承受一次高低温的循环，在这个过程中SiC涂层很容易产生裂缝、崩溃等损伤，将导致基座上的晶片受污损，并且严重影响基座的使用寿命。 因此，SiC涂层的质量直接影响石墨基座的使用寿命。多晶硅石墨底座处理 T22:09:51+00:00 多晶硅石墨底座处理 多晶硅石墨底座处理 2018年3月23日 太阳能电池组件一般选用单晶硅或者多晶硅太阳能电池组件；led灯头 工作,不需要挖沟布线,但灯杆需要装置在预埋件（混凝土底 传统的多晶硅还原炉用石墨组件主要为两种方式: 一种方式为三件套式 多晶硅石墨底座处理2022年1月29日 — 多晶硅石墨底座处理 2018年3月23日 太阳能电池组件一般选用单晶硅或者多晶硅太阳能电池组件；led灯头 工作,不需要挖沟布线,但灯杆需要装置在预埋件（混凝土底 传统的多晶硅还原炉用石墨组件主要为两种方式: 一种方式为三件套式，包括石墨 多晶硅石墨底座处理2021年7月9日 — 对于石墨卡瓣大家是不是比较陌生？听到这个词，你心里不禁暗暗升起一句话：石墨 六工专业生产多晶硅、单晶硅用石墨卡瓣, 采用三高石墨材料生产。 碳量：9999%，抗压强度：65Mpa，抗折强 LG3901石墨卡瓣,高纯度,多晶硅用石墨卡瓣 知乎
还原炉生产多晶硅常见问题及对策探讨 百度文库
多晶硅生产工艺过程如下：首先进行装炉，将硅芯安装于底盘电极之上，通过石墨配件定位和固定(硅芯规格各生产厂家控制标准不一，高度一般为22～28 m，截面为圆形或方形，直径或边长为8～15 mm不等)，硅芯安装完毕即可将炉筒和底盘进行紧固，经过试压2024年2月28日 — 在所述安装孔的内壁上。本发明的石墨底座中在 安装孔的内壁上设置镀层，避免了高温下石墨接 触电子级多晶硅，解决了因石墨而造成的电子级 多晶硅产品品质下降问题。 A 4 3 6 4 0 6 7 1 1 N C CNA权利要求书1/1页 1一种具有镀层的石墨底 具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统pdf原创力文档2023年4月25日 — 本申请涉及一种多晶硅棒材表层处理装置，底座上设置有第一驱动装置、竖直设置的导向杆和第一夹持装置，第一导向孔与导向杆导向滑动配合，第一驱动装置与移动平台驱动相连，转动环可转动地设置于移动平台，且环绕穿孔，第二驱动装置设置于移动平台，且与转动环的外周侧传动配合，在转动 一种多晶硅棒材表层处理装置专利2023年12月14日 — 本技术涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种多晶硅生产用石墨‑金属电极，电极底座的内部具有冷却空间；电极底座上具有容腔一，容腔一的开口向上；石墨电极座的外侧为柱体结构；石墨电极座上具有容腔二；容腔二的开口向上；石墨电极座能够放置在容 一种多晶硅生产用石墨金属电极的制作方法 X技术网
石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控百度文库
处理。溅射沉积的参数分别为: 功率 200 W 、氩气 2010年 9月 549 施辉伟等: 石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控 施辉伟等: 石墨上多晶硅薄膜的制备及择优 取向的调控 0 引 言 多晶硅薄膜电池由于具有与传统晶体硅电池可 气压 0 4 Pa、衬底温度 600 石墨由于其特殊结构，具有良好的耐高温性、抗热震性、导电性、润滑性、化学稳定性以及可加工性等众多特性。【应用领域】： 广泛应用于光伏多晶硅、化工、半导体、电气、冶金、机械等领域。主要产品有多晶硅还原炉石墨卡瓣、卡帽、卡座。【规格参数】：石墨件制品石墨三件套 新特能源股份有限公司 Xinte Energy2016年4月10日 — 多晶硅生产中的废气处理技术研究任学平青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司，青海西宁摘要：多晶硅生产会产生大量废气，对生态环境污染较大，在持续发展背景下，必须要采取措施对生产废气进行有效处理。目前已经有更多新型技术被应用到多晶硅生产废气处理中，并取得了 多晶硅生产中的废气处理技术研究 道客巴巴2019年11月12日 — 本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，尤其涉及一种还原炉石墨件。背景技术： 目前在多晶硅生产领域中，在进行多晶硅还原反应时，将硅芯插在石墨件上，石墨件套在铜电极上，硅芯按照一定的电极连接方式进行安装，安装完成后，按照工艺程序进行置换、击穿、进料并进而发生气相沉积反应 一种还原炉石墨件的制作方法 X技术网
多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法 百度文库
2009年7月22日 — 本发明公开了多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理 水淬法，其特征在于：对石墨电极分别进行三次水淬，即先对石墨电极进行三次加热然后分别进行三次水浸冷却，水浸冷却时通过纯水进入被加热的石墨电极内部，石墨电极将纯水汽化为蒸汽，蒸汽 2023年7月12日 — 多晶硅废气主要为酸碱废气和有机废气两种，因其废气成分不同，它的处理工艺流程也有所不同，本文为您介绍的是3种多晶硅废气处理工艺流程。 多晶硅废气处理工艺流程一 多晶硅废气处理工艺流程一般包括以下步骤： 废气收集：将多晶硅生产过程中产生的 3种多晶硅废气处理工艺流程（附流程图）格林斯达环保 2023年12月14日 — 技术特征： 1 一种多晶硅生产用石墨金属电极，其特征在于，包括: 电极底座、电极卡环、石墨电极座和石墨电极头；所述电极底座的内部具有冷却空间，用于对电极底座进行冷却；所述电极底座上具有容腔一，所述容腔一的开口向上；所述容腔一为台体形；所述容腔一的截面由下向上逐渐变大 一种多晶硅生产用石墨金属电极的制作方法2 X技术网本发明公开了一种具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统，包括底座和设置在底座上的石墨卡瓣，所述石墨卡瓣包括围绕石墨卡瓣中心分布的若干子卡瓣，相邻的两个所述子卡瓣之间留置有间隙，石墨卡瓣中心形成有多个所述子卡瓣环绕的安装孔；还包括镀层，所述镀层设在所述安装孔的内壁 具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统 龙图腾网
具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统CNA
2023年12月16日 — 本专利由洛阳中硅高科技有限公司申请，公开，本发明公开了一种具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统，包括底座和设置在底座上的石墨卡瓣，所述石墨卡瓣包括围绕石墨卡瓣中心分布的若干子卡瓣，相邻的两个所述子卡瓣之间留置有间隙，石专利查询、专利下载就上专利顾如2016年7月8日 — 本实用新型公开了一种用于多晶硅还原炉的卡瓣安装结构，卡瓣放置在与电极套连接的石墨底座中心位置，电极安装在还原炉的底盘上；硅芯穿过由卡瓣围成的空腔并通过石墨螺帽旋紧固定在石墨底座上；卡瓣为由碳化硅‑石墨复合材料制成的卡瓣；卡瓣由四瓣碳化硅子卡瓣构成。一种用于多晶硅还原炉的卡瓣安装结构 Google Patents一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统 用于生产电子级多晶硅的还原炉 用于生产电子级多晶硅的还原炉 电子级多晶硅清洗系统和方法 一种用于电子级多晶硅还原炉的石墨组件 用于电子级多晶硅生产系统的在线监测痕量杂质的方法 一种电子级多晶硅 具有镀层的石墨底座和电子级多晶硅生产系统 PatentGuru2009年7月22日 — 本发明涉及多晶硅还原炉石墨电极的领域，特别是多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法。背景技术在多晶硅生产中，硅芯棒由石墨电极与还原炉铜电极相连在iioo'c沉积多晶硅。石墨电极材质的纯度将影响多晶硅的质量。为了减少石墨电极中的杂质对多晶硅质量的影响，一般采取高温(110(TC)煅烧抽 多晶硅还原炉石墨电极的洁净处理水淬法的制作方法 X技术网